半導體器件壽命影響因素研究
半導體器件壽命影響因素研究

摘 要:浪涌和靜電是影響半導體器件壽命的重要因素。
為提高半導體器件的壽命指標,文中給出了應用于模擬電路的電源軟啟動(dòng)電路。
該電路采用了RC充電原理,可使半導體器件上的電壓逐漸加上,而不會(huì )產(chǎn)生有損于半導體器件的浪涌;文中又給出了一款應用于數字電路中的浪涌消除電路,該電路采用了分頻采樣、移位寄存和計算判斷方法,可有效消除因控制開(kāi)關(guān)或器件管腳接觸不良產(chǎn)生的高低電平交替出現的浪涌信號,該設計與同類(lèi)浪涌消除或抖動(dòng)信號消除電路相比,其時(shí)序延時(shí)僅為5 ms。
關(guān)鍵詞:半導體器件;壽命;浪涌;靜電;軟啟動(dòng);消浪涌電路
0 引 言
隨著(zhù)半導體器件的廣泛使用,其壽命指標受到業(yè)界普遍關(guān)注。
半導體器件壽命的延續是一種性能退化過(guò)程,最終導致失效[1]。
造成這種退化的原因很多,如人為使用不當、浪涌和靜電擊穿等,但通過(guò)一定的預防措施和增加必要的附加電路可以有效延長(cháng)半導體器件的壽命。
1 半導體器件的退化和失效
大量試驗表明,半導體器件的失效隨時(shí)間的統計分布規律呈浴盆狀,如圖1所示。
失效期包括早期的快速退化失效、中期的偶然失效與后期的快速損耗失效。
早期快速失效一般是由半導體材料本身原因造成;中期偶然失效期的時(shí)域較寬,在此期間導致半導體器件失效的原因具有一定的偶然性;后期失效概率較高,主要由各種損耗積累與綜合爆發(fā)引起[2]。
由此可知,只要通過(guò)初期的嚴格篩選,同時(shí)加強質(zhì)量管理和改進(jìn)生產(chǎn)工藝,防止偶然失效,半導體器件就能獲得較長(cháng)的壽命[3]。
圖1 半導體器件失效期隨時(shí)間的分布
2 半導體器件壽命影響因素及預防措施
PN結是半導體器件的核心,對電壓沖擊的承受能力很差,一旦被擊穿,便無(wú)法產(chǎn)生非平衡載流子。
在使用過(guò)程中,半導體器件的損壞多半是由浪涌或靜電擊穿造成的。
浪涌是一種突發(fā)性的瞬間電信號脈沖,具有很強的隨機性,一般表現為尖脈沖,脈寬很窄,但峰值較高,容易使半導體器件瞬時(shí)過(guò)壓造成PN結擊穿,即使不致于一次性使半導體器件產(chǎn)生完全失效,但在多次浪涌的沖擊下也會(huì )加速它的性能退化和最終失效[4]。
在電路的使用過(guò)程中,出現比較多的浪涌是開(kāi)啟或關(guān)斷電源時(shí)抑或器件接觸不良時(shí)產(chǎn)生的電壓/電流沖擊,以及由于電網(wǎng)波動(dòng)或其它大功率電器啟動(dòng)而產(chǎn)生的電壓/電流沖擊。
另外,靜電也是造成PN結損壞或擊穿的重要原因。
表1給出了產(chǎn)生浪涌和靜電的幾種常見(jiàn)原因及其特征和預防措施。
3 模擬電路中浪涌消除電路
3.1 短路保護開(kāi)關(guān)
為半導體器件并聯(lián)一個(gè)電阻較小的短路保護開(kāi)關(guān)是一種簡(jiǎn)單的消浪涌方法[5]。
當需要啟動(dòng)半導體器件電源時(shí),先閉合短路保護開(kāi)關(guān),讓啟動(dòng)電源瞬間產(chǎn)生的浪涌經(jīng)短路保護開(kāi)關(guān)放電,待電源工作穩定后,斷開(kāi)短路開(kāi)關(guān),穩定的電源便可正常工作于半導體器件。
當需要關(guān)閉電源時(shí),先閉合短路保護開(kāi)關(guān),然后斷開(kāi)電源開(kāi)關(guān),以避免瞬間電流浪涌損壞半導體器件。
實(shí)踐證明,該方法對消除開(kāi)關(guān)驅動(dòng)電源時(shí)瞬間產(chǎn)生的電壓/電流浪涌沖擊是可行的。
但也存在不足,即該方法不僅給半導體器件操作員增加了一部分繁瑣的工作量,且無(wú)法消除來(lái)自外電路的浪涌所帶來(lái)的影響。
3.2 電源軟啟動(dòng)電路
為解決以上不足,可采用電源軟啟動(dòng)電路,該電路不但可以消除電源啟動(dòng)/關(guān)閉瞬間產(chǎn)生的浪涌,還可以保證半導體器件兩端避免突然加上階躍電壓,因為這種上升沿很陡的電壓,即使幅值很低,也會(huì )對半導體器件產(chǎn)生不良影響[6]。
圖2(a)和圖2(b)給出了有/無(wú)采取軟啟動(dòng)情況下半導體器件驅動(dòng)電流I隨時(shí)間t的變化。
在沒(méi)有電源軟啟動(dòng)電路的情況下接通電源開(kāi)關(guān),驅動(dòng)電源會(huì )產(chǎn)生幅度較大的電流浪涌,隨后經(jīng)過(guò)過(guò)渡過(guò)程才趨向穩定。
采用電源軟啟動(dòng)電路之后,工作電壓不會(huì )瞬間加在整個(gè)穩流電路上,而是在一定的時(shí)間內,電流從零開(kāi)始逐漸上升到正常工作值。
圖2 有/無(wú)軟啟動(dòng)情況下驅動(dòng)電流I與時(shí)間t的關(guān)系
軟啟動(dòng)電路在電源電路中已得到了廣泛應用,該過(guò)程可以由計算機控制實(shí)現,且可靠性高,穩定性好,但是價(jià)格比較昂貴。
實(shí)際上,對于一些簡(jiǎn)單的、普通的半導體器件電源電路,只需對電源電路稍加改進(jìn),便可實(shí)現軟啟動(dòng),圖3給出了一個(gè)利用RC充電原理實(shí)現軟啟動(dòng)的電源電路,電路中的R1、C7、C8、Q1、Q2為電壓緩慢上升電路,電路兩邊增加了兩個(gè)π型濾波器電路,防止電流突變。
該軟啟動(dòng)電路可以使得半導體器件兩端的電壓逐漸加上,不會(huì )產(chǎn)生浪涌信號對半導體器件帶來(lái)破壞。
4 數字電路中浪涌消除電路
在很多情況下,半導體器件的管腳不是通過(guò)焊接而是直接插入管座中,然而管腳和插座接觸不良或者機械振動(dòng)都會(huì )造成時(shí)通時(shí)斷而產(chǎn)生連續多個(gè)電壓浪涌。
另外,某些功能控制開(kāi)關(guān)和功率調節開(kāi)關(guān)接觸不良或動(dòng)作瞬間也會(huì )產(chǎn)生連續多個(gè)電壓浪涌。
在數字電路中,這些電壓浪涌幅值較低(波形表示為短脈寬的高/低電平"1"和"0"),這些浪涌邊沿很陡,呈高低電平交替狀態(tài),若未經(jīng)處理直接將它加在半導體器件兩端會(huì )影響其壽命,同時(shí)也會(huì )給系統帶來(lái)干擾。
圖3 電源軟啟動(dòng)電路
圖4給出了一款應用于數字電路中具有消除連續多個(gè)電壓浪涌功能的電路。
電路中的CLNR是觸發(fā)器清零信號,K1_in和K2_in表示兩組帶有浪涌的輸入信號,K1_out和K2_out表示所對應的經(jīng)過(guò)消浪涌后的輸出信號。
電路采用了分頻采樣、移位寄存和計算判斷方法,采用4個(gè)D觸發(fā)器連續對輸入信號K1_in進(jìn)行移位采樣,并隨時(shí)鐘信號的觸發(fā)寄存于數組K1[4..1]中。
若數組中相鄰兩個(gè)數據都為高電平就默認為高電平"1",其它情況則表示低電平"0"。
用邏輯最簡(jiǎn)公式表示為:K1_out=K11K12+K13K14+(!K11)K12K13(!K14)。
由于半導體管腳和插座接觸不良或機械振動(dòng)等現象引起的連續電壓浪涌掃描周期一般不超過(guò)10 ms,因此電路中采用了頻率為200 Hz、周期為5 ms的clk_200時(shí)鐘信號進(jìn)行數據移位寄存。
圖5給出了該電路在Quartus II 環(huán)境下的仿真波形。
圖5 數字電路中浪涌消除電路仿真波形
從仿真結果可以看出,當輸入信號K1_in在低電平輸入過(guò)程中連續出現多個(gè)脈寬小于或等于10 ms的高電平浪涌時(shí),輸出信號K1_out仍為低電平;當輸入信號K2_in在高電平輸入過(guò)程中連續出現多個(gè)脈度小于或等于10 ms的低電平浪涌時(shí),輸出信號K2_out仍為高電平。
由此可知,該電路能很好地消除連續出現的浪涌,作為半導體器件浪涌消除電路可有效延長(cháng)半導體器件壽命指標,并具有良好的抗浪涌信號干擾的能力。
另外,從信號延時(shí)來(lái)看,該電路的輸入信號僅有5 ms的時(shí)序延時(shí),與同類(lèi)的浪涌消除或抖動(dòng)信號消除電路相比較,該延時(shí)較小。
5 結 語(yǔ)
隨著(zhù)半導體器件生產(chǎn)工藝日趨成熟,其應用范圍已覆蓋了國防、工業(yè)、科研和民用等領(lǐng)域,并發(fā)揮著(zhù)重要的作用[7,8],因此,有必要針對它的壽命特性和延壽方法開(kāi)展進(jìn)一步的研究。
文中分析了影響半導體器件壽命的主要原因,討論了浪涌和靜電的特點(diǎn)及其預防措施,分別給出了應用于模擬電路和數字電路中的電源軟啟動(dòng)電路和連續浪涌消除電路,電路結構簡(jiǎn)單,性能良好,值得推廣。
參考文獻
[1] 趙霞,吳金,姚建楠.基于失效機理的半導體器件壽命模型研究[J].可靠性物理與失效分析技術(shù),2007,25(6):15-18.
[2] 李適民,黃維玲.激光器原理與設計[M].北京:國防工業(yè)出版社,2005.
[3] 劉婧,呂長(cháng)志,李志國,等.電子元器件加速壽命試驗方法的比較[J].半導體技術(shù),2006,31(9):680-683.
[4] 黃德修.半導體光電子學(xué)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2013.
[5] 羅文超,徐釗,盛祥佐.一種基于DDS的QPSK調制器及其FPGA實(shí)現[J].電訊技術(shù),2007,47(4):156-158.
[6] Suematsu Y, Adams A R. Handbook of semiconductor lasers and Photonic Intergrated circuits[M]. Springer:1994.
[7] 路國光,黃云,雷志峰.單bar大功率半導體激光器壽命評價(jià)技術(shù)[J].紅外與激光工程,2012,41(9):2328-2332.
[8] 盧杰, 鄺小飛.頻率抖動(dòng)技術(shù)在開(kāi)關(guān)電源振蕩器中的實(shí)現[J].物聯(lián)網(wǎng)技術(shù),2014,4(12):39-40.
【半導體器件壽命影響因素研究】相關(guān)文章:
影響機械加工精度因素與提高措施論文08-17
數控加工精度影響因素及提升策略論文07-19
影響你職業(yè)生涯規劃的因素有哪些02-24
元器件引腳去氧化工藝10-16
電子元器件講座心得體會(huì )09-27
電子元器件采購合同范本11-28
成功的因素的英語(yǔ)作文07-25
影響的作文12-03
影響的作文最終07-25
有關(guān)影響的作文11-24