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微電子封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢

時(shí)間:2025-08-15 12:00:17 機電一體化畢業(yè)論文 我要投稿

微電子封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢

  微電子封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢【1】

  【摘 要】本文論述了微電子封裝技術(shù)的發(fā)展歷程,發(fā)展現狀和發(fā)展趨勢,主要介紹了幾種重要的微電子封裝技術(shù),包括:BGA 封裝技術(shù)、CSP封裝技術(shù)、SIP封裝技術(shù)、3D封裝技術(shù)、MCM封裝技術(shù)等。

  【關(guān)鍵詞】微電子技術(shù);封裝;發(fā)展趨勢

  一、微電子封裝的發(fā)展歷程

  IC封裝的引線(xiàn)和安裝類(lèi)型有很多種,按封裝安裝到電路板上的方式可分為通孔插入式(TH)和表面安裝式(SM),或按引線(xiàn)在封裝上的具體排列分為成列、四邊引出或面陣排列。

  微電子封裝的發(fā)展歷程可分為三個(gè)階段:第一階段:上世紀70 年代以插裝型封裝為主,70 年代末期發(fā)展起來(lái)的雙列直插封裝技術(shù)(DIP)。

  第二階段:上世紀80 年代早期引入了表面安裝(SM)封裝。

  比較成熟的類(lèi)型有模塑封裝的小外形(SO)和PLCC 型封裝、模壓陶瓷中的Cerquad、層壓陶瓷中的無(wú)引線(xiàn)式載體(LLCC)和有引線(xiàn)片式載體(LDCC)。

  PLCC,Cerquad,LLCC和LDCC都是四周排列類(lèi)封裝, 其引線(xiàn)排列在封裝的所有四邊。

  第三階段:上世紀90 年代, 隨著(zhù)集成技術(shù)的進(jìn)步、設備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用,LSI,vLSI,uLSI相繼出現, 對集成電路封裝要求更加嚴格,i/o引腳數急劇增加, 功耗也隨之增大, 因此, 集成電路封裝從四邊引線(xiàn)型向平面陣列型發(fā)展,出現了球柵陣列封裝(BGA),并很快成為主流產(chǎn)品。

  二、新型微電子封裝技術(shù)

  (一)焊球陣列封裝(BGA)

  陣列封裝(BGA)是世界上九十年代初發(fā)展起來(lái)的一種新型封裝。

  BGA封裝的i/o端子以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面,BGA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是:i/o引腳數雖然增加了,但引腳間距并沒(méi)有減小反而增加了,從而提高了組裝成品率;雖然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,從而可以改善它的電熱性能;厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少;寄生參數減小,信號傳輸延遲小,使用頻率大大提高;組裝可用共面焊接,可靠性高。

  這種BGA的突出的優(yōu)點(diǎn):1.電性能更好:BGA用焊球代替引線(xiàn),引出路徑短,減少了引腳延遲、電阻、電容和電感;2.封裝密度更高;由于焊球是整個(gè)平面排列,因此對于同樣面積,引腳數更高。

  例如邊長(cháng)為31mm的BGA,當焊球節距為1mm時(shí)有900只引腳,相比之下,邊長(cháng)為32mm,引腳節距為0.5mm的qfp只有208只引腳;3.BGA的節距為1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm,與現有的表面安裝工藝和設備完全相容,安裝更可靠;4.由于焊料熔化時(shí)的表面張力具有 “自對準”效應,避免了傳統封裝引線(xiàn)變形的損失,大大提高了組裝成品率;5.BGA引腳牢固,轉運方便;6.焊球引出形式同樣適用于多芯片組件和系統封裝。

  因此,BGA得到爆炸性的發(fā)展。

  BGA因基板材料不同而有塑料焊球陣列封裝(pBGA),陶瓷焊球陣列封裝(cBGA),載帶焊球陣列封裝(tBGA),帶散熱器焊球陣列封裝(eBGA),金屬焊球陣列封裝(mBGA),還有倒裝芯片焊球陣列封裝(fcBGA)。

  PQFP可應用于表面安裝,這是它的主要優(yōu)點(diǎn)。

  (二)芯片尺寸封裝(CSP)

  CSP(chip scale package)封裝,是芯片級封裝的意思。

  CSP封裝最新一代的內存芯片封裝技術(shù),其技術(shù)性能又有了新的提升。

  CSP封CSP封裝裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò)1:1.14,已經(jīng)相當接近1:1的理想情況,絕對尺寸也僅有32平方毫米,約為普通的BGA的1/3,僅僅相當于tSOp內存芯片面積的1/6。

  與BGA封裝相比,同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。

  芯片尺寸封裝(CSP)和BGA是同一時(shí)代的產(chǎn)物,是整機小型化、便攜化的結果。

  LSI芯片封裝面積小于或等于LSI芯片面積120%的封裝稱(chēng)為CSP。

  由于許多CSP采用BGA的形式,所以最近兩年封裝界權威人士認為,焊球節距大于等于lmm的為BGA,小于lmm的為CSP。

  由于CSP具有更突出的優(yōu)點(diǎn):1.近似芯片尺寸的超小型封裝;2.保護裸芯片;3.電、熱性?xún)?yōu)良;4.封裝密度高;5.便于測試和老化;6.便于焊接、安裝和修整更換。

  一般地CSP,都是將圓片切割成單個(gè)IC芯片后再實(shí)施后道封裝的,而wlCSP則不同,它的全部或大部分工藝步驟是在已完成前工序的硅圓片上完成的,最a后將圓片直接切割成分離的獨立器件。

  CSP封裝內存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離,其衰減隨之減少,芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升。

  CSP技術(shù)是在電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代時(shí)提出來(lái)的,它的目的是在使用大芯片(芯片功能更多,性能更好,芯片更復雜)替代以前的小芯片時(shí),其封裝體占用印刷板的面積保持不變或更小。

  wlCSP所涉及的關(guān)鍵技術(shù)除了前工序所必須的金屬淀積技術(shù)、光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)等以外,還包括重新布線(xiàn)(RDL)技術(shù)和凸點(diǎn)制作技術(shù)。

  通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排到在管芯周邊的方形鋁層,為了使WLP適應了SMt二級封裝較寬的焊盤(pán)節距,需將這些焊盤(pán)重新分布,使這些焊盤(pán)由芯片周邊排列改為芯片有源面上陣列排布,這就需要重新布線(xiàn)(RDL)技術(shù)。

  三、微電子封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢

  微電子封裝技術(shù)是90年代以來(lái)在半導體集成電路技術(shù)、混合集成電路技術(shù)和表面組裝技術(shù)(SMt)的基礎上發(fā)展起來(lái)的新一代電子組裝技術(shù)。

  多芯片組件(MCM)就是當前微組裝技術(shù)的代表產(chǎn)品。

  它將多個(gè)集成電路芯片和其他片式元器件組裝在一塊高密度多層互連基板上,然后封裝在外殼內,是電路組件功能實(shí)現系統級的基礎。

  CSP的出現解決了KGD問(wèn)題,CSP不但具有裸芯片的優(yōu)點(diǎn),還可象普通芯片一樣進(jìn)行測試老化篩選,使MCM 的成品率才有保證,大大促進(jìn)了MCM的發(fā)展和推廣應用。

  目前MCM已經(jīng)成功地用于大型通用計算機和超級巨型機中,今后將用于工作站、個(gè)人計算機、醫用電子設備和汽車(chē)電子設備等領(lǐng)域。

  四、結束語(yǔ)

  從以上介紹可以看出,微電子封裝,特別是BGA、CSP、SIP、3D、MCM 等先進(jìn)封裝對SMt的影響是積極的,當前更有利于SMt的發(fā)展,將來(lái)也會(huì )隨著(zhù)基板技術(shù)的提高,新工藝、新材料、新技術(shù)、新方法的不斷出現,促進(jìn)SMt向更高水平發(fā)展。

  微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)研究【2】

  摘 要:隨著(zhù)科技的發(fā)展,微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)由傳統的接觸式點(diǎn)膠方式向無(wú)接觸式點(diǎn)膠技術(shù)轉變。

  本文就微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)中的接觸式點(diǎn)膠和無(wú)接觸式點(diǎn)膠技術(shù)進(jìn)行了詳盡的介紹。

  關(guān)鍵詞:微電子封裝;接觸式點(diǎn)膠;無(wú)接觸式點(diǎn)膠

  隨著(zhù)現代科技的發(fā)展,基于微電子技術(shù)的流體點(diǎn)膠技術(shù)在芯片固定、封裝倒扣以及芯片涂敷中得以廣泛應用。

  流體點(diǎn)膠技術(shù)以受控的方式對流體精確分配,可將理想大小的流體,如焊劑、導電膠、環(huán)氧樹(shù)脂和粘合劑等,轉移到工件諸如芯片、電子元件等合適位置。

  從而實(shí)現各種元器件機械或者電氣的連接。

  基于微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)的優(yōu)勢特點(diǎn)是操作系統性能好,點(diǎn)膠速度快和點(diǎn)膠一致性?xún)?yōu)良、精度高等特點(diǎn)[2]。

  1 點(diǎn)膠技術(shù)綜述

  基于點(diǎn)膠原理的不同,可將點(diǎn)膠技術(shù)分為接觸式點(diǎn)膠和無(wú)接觸式點(diǎn)膠[3,4],如圖1所示。

  接觸式點(diǎn)膠的工作原理是通過(guò)點(diǎn)膠針頭引導液同基板接觸,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后待基板完全浸潤后,點(diǎn)膠針頭開(kāi)始向上運動(dòng),膠液依靠同基板間的黏性力同點(diǎn)膠針頭分離在基板上形成膠點(diǎn)。

  接觸式點(diǎn)膠技術(shù)的特點(diǎn)是需要配置高精度的傳感器來(lái)控制針頭抬起和下降高度。

  無(wú)接觸式點(diǎn)膠是采用相關(guān)方式使膠液受到高壓作用,膠液在獲得足夠大的動(dòng)能后按照規定的速度噴射到基本之上。

  膠液在噴射時(shí),針頭沒(méi)有Z軸方向位移[3]。

  近幾年來(lái),點(diǎn)膠技術(shù)得以快速發(fā)展,已經(jīng)從接觸式點(diǎn)膠技術(shù)向無(wú)接觸式點(diǎn)膠技術(shù)轉變。

  當前國外已經(jīng)開(kāi)始研究和開(kāi)發(fā)無(wú)接觸式點(diǎn)膠技術(shù),并取得了一定的成績(jì)。

  不過(guò),就我國而言,目前還有超過(guò)一般以上的點(diǎn)膠系統仍舊采用接觸式針頭點(diǎn)膠,且以時(shí)間/壓力型為主[2];無(wú)接觸式點(diǎn)膠系統市場(chǎng)份額占有率低下,所以,針對我國點(diǎn)膠技術(shù)發(fā)展實(shí)際,加強對精度高、可靠性強的流體點(diǎn)膠技術(shù)研究和開(kāi)發(fā)勢在必行[5]。

  2 接觸式點(diǎn)膠

  2.1大量式點(diǎn)膠

  大量式點(diǎn)膠可細分為針轉式點(diǎn)膠和絲網(wǎng)印刷式點(diǎn)膠兩種。

  大量式點(diǎn)膠的突出特點(diǎn)是點(diǎn)膠速度快。

  可適用于印刷電路板的大規模生產(chǎn)線(xiàn),其缺點(diǎn)是柔性差,點(diǎn)膠的精度不是很高,一致性差,且膠液是直接暴露在空氣中,膠液容易吸水和揮發(fā),影響膠液質(zhì)量。

  針轉移式點(diǎn)膠的適應性比較差,對于不同的點(diǎn)膠樣式需要更換針板,在點(diǎn)膠時(shí)需不停加熱,重復適用性差。

  絲網(wǎng)印刷式點(diǎn)膠僅僅適用表面比較平整的元器件,而對于表面凸凹不平的集成電路則不適用。

  [2,4,6]。

  2.2 針頭式點(diǎn)膠

  2.2.1 計量管式點(diǎn)膠和活塞式點(diǎn)膠

  計量式點(diǎn)膠和活塞式點(diǎn)膠是繼大量式點(diǎn)膠后的一種新型點(diǎn)膠方式。

  這兩種點(diǎn)膠方式都是通過(guò)壓力驅動(dòng)膠液流出完成點(diǎn)膠。

  計量式點(diǎn)膠是由螺旋桿旋轉提供壓力,在壓力作用下膠液流出,針頭按照一定的軌跡移動(dòng)可畫(huà)出線(xiàn)或者圓等圖案。

  活塞式點(diǎn)膠是通過(guò)活塞作用推動(dòng)膠液流出完成點(diǎn)膠。

  該點(diǎn)膠方式的一致性好,不過(guò)膠液的量不好控制,活塞清洗困難,對活塞的密封性要求極高[2,4,6]。

  2.2.2 時(shí)間/壓力型點(diǎn)膠

  時(shí)間/壓力型點(diǎn)膠是當前應用最為廣泛的點(diǎn)膠方式之一,該種點(diǎn)膠方式最早的應用在表面貼裝中。

  其工作原理是通過(guò)脈動(dòng)氣壓擠壓針筒內的活塞,將流體通過(guò)底部針頭擠出到基板上。

  該種點(diǎn)膠技術(shù)適用于黏度不是很高的流體;其膠點(diǎn)大小同氣體壓力和時(shí)間有關(guān)。

  該種點(diǎn)膠設備的造價(jià)比較低,容易操作,維護和清洗方便。

  不過(guò)該種點(diǎn)膠方式對流體的黏度很敏感,氣壓反復壓縮使流體溫度逐漸升高,對流體的流變特性造成了一定影響,比如膠液流出的直徑大小不一,點(diǎn)膠一致性效果差。

  3 無(wú)接觸式點(diǎn)膠

  無(wú)接觸式點(diǎn)膠是當前一種基于微電子技術(shù)的新型點(diǎn)膠技術(shù),該點(diǎn)膠技術(shù)可細分為噴墨點(diǎn)膠和噴射點(diǎn)膠。

  其中噴射點(diǎn)膠又分為機械式噴射點(diǎn)膠和壓電式噴射點(diǎn)膠兩種方式。

  3.1 噴墨技術(shù)

  噴墨技術(shù)指的是將墨水噴涂到基底上面的技術(shù)。

  噴墨方式有熱氣泡式和壓電式。

  該種技術(shù)主要應用在印刷、壓電式噴墨和藥劑生產(chǎn)方面。

  熱氣泡式噴墨是對熱敏電阻通電,產(chǎn)生熱能加熱墨水產(chǎn)生氣泡,氣泡爆破后墨水噴出形成墨滴;壓電式噴墨是利用壓電材料壓電效應產(chǎn)生機械力,通過(guò)機械力將墨水“擠”或“推”出去。

  不過(guò)需要提出的是,微電子封裝中所使用的流體黏度一般都比較高,而噴墨技術(shù)只適用于低黏度流體的噴墨。

  在流體材料適用性方面表現的能力比較欠缺。

  3.2 噴射點(diǎn)膠技術(shù)

  噴射點(diǎn)膠技術(shù)當前還處于研發(fā)階段,技術(shù)還不夠成熟。

  該技術(shù)主要是通過(guò)瞬間高壓作用驅動(dòng)膠液噴出,每次噴射只能形成一個(gè)膠點(diǎn)。

  經(jīng)過(guò)多次噴射后膠點(diǎn)疊加在一起形成圖案。

  噴射點(diǎn)膠基本上對各種黏度的流體適用。

  并且噴射的速度快、適應性和一致性好。

  當前,噴射點(diǎn)膠技術(shù)有機械式和壓電式兩種。

  其中,壓電式點(diǎn)膠適用于低、中黏度流體;機械式點(diǎn)膠適用于黏度高的流體。

  3.2.1 機械式噴射點(diǎn)膠

  機械式噴射點(diǎn)膠主要用于噴射高黏度流體,目前在電子生產(chǎn)領(lǐng)域得以廣泛應用。

  采用機械師噴射點(diǎn)膠,流體在比較低的壓力作用下就能進(jìn)入到料腔內。

  一般而言,芯片下填充料粘結劑的壓力控制在0.1MPa左右;液晶類(lèi)黏度比較低的材料壓力控制在0.01MPa左右。

  該技術(shù)的特點(diǎn)是液體在噴嘴位置可獲得極強瞬時(shí)壓力,可對黏度高的流體進(jìn)行噴射;其缺點(diǎn)是噴射出的膠點(diǎn)要比壓電式、熱氣泡式所噴射的膠點(diǎn)尺寸大很多[3,7],并且其結構比較復雜,噴射頻率要低于壓電式。

  3.2.2壓電式噴射點(diǎn)膠

  壓電式噴射點(diǎn)膠裝置主要有兩大類(lèi)型。

  一類(lèi)是壓電式點(diǎn)膠作為熱噴墨印刷技術(shù)應用于LED中有機顏料的注入;另一類(lèi)是壓電式噴射點(diǎn)膠是應用于電子器件紫外固化粘結劑包封。

  4 結語(yǔ)

  綜上,隨著(zhù)現代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)必將會(huì )向新臺階邁進(jìn)。

  本文針對微電子封裝的接觸式點(diǎn)膠技術(shù)和無(wú)接觸式點(diǎn)膠技術(shù)的應用及優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了簡(jiǎn)要的介紹和分析。

  僅供業(yè)內人士參考。

  參考文獻

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