通用開(kāi)關(guān)電源的設計
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摘 要 :現階段隨單片開(kāi)關(guān)電源的模塊應用,中小功率開(kāi)關(guān)電源在朝短、小、輕、薄方向發(fā)展,可廣泛用在儀器儀表、家用電器、計算機、自控等領(lǐng)域。本文全面分析了開(kāi)關(guān)電源的應用控制理論和方法。并利用NCP12000單片的PWM控制芯片,設計了一個(gè)10W的小功率開(kāi)關(guān)電源。
關(guān)鍵詞 :電力工程;開(kāi)關(guān)電源;反饋控制
開(kāi)關(guān)電源我們可認為是由功率級和控制電路所組成,功率級是功率變換的主體,主要通過(guò)開(kāi)關(guān)器件、電感、電容等器件來(lái)實(shí)現功率變換的。開(kāi)關(guān)電源的主體是開(kāi)關(guān)型DC-DC變換器,它是開(kāi)關(guān)電源整個(gè)變換核心。非隔離式和隔離式為DC-DC變換器的兩種基本拓撲。在非隔離式變換器中,輸入到輸出之間是沒(méi)有電氣隔離的,非隔離式拓撲結構形式主要有:Buck, Boost ,Buck-Boost, Cuk''等。
首先介紹開(kāi)關(guān)電源的控制方法:
根據DC-DC變換器工作方式,DC-DC變換器可分為下面幾種:PWM變換器、諧振變換器、軟開(kāi)關(guān)PWM變換器等。
1脈寬調制技術(shù)
脈寬調制PWM技術(shù)由于其電路簡(jiǎn)單、控制也相對方便而得到廣泛的應用。目前,應用PWM技術(shù)的變換器的運行最佳頻率范圍為30kHz~50kHz(使用MOSFET做開(kāi)關(guān)管),在該范圍內,整個(gè)系統不論體積、重量、可靠性或是價(jià)格都基本上實(shí)現了最佳。但是,常規的PWM技術(shù)的固有缺陷也在一定程度上限制了其高頻化,這樣人們另想辦法,圍繞著(zhù)減小開(kāi)關(guān)的損耗,消除或緩解其電路中寄生參數所造成的影響提出了諧振變換技術(shù)。
2諧振變換技術(shù)
諧振變換技術(shù)可以描述為開(kāi)關(guān)器件在零壓或零電流條件下可進(jìn)行開(kāi)關(guān)狀態(tài)的轉換。這樣可以在一定程度上降低了開(kāi)關(guān)損耗。諧振變換電路主要由串聯(lián)諧振、并聯(lián)諧振、準諧振、E類(lèi)諧振和多諧振等。這類(lèi)變換器主要利用諧振原理使開(kāi)關(guān)管的兩端電壓或流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流能夠在一個(gè)周期內在某一時(shí)間段呈正弦規律變換,電壓和電流的波形會(huì )錯開(kāi),這樣可實(shí)現零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)條件,使得開(kāi)關(guān)管自然得到導通或關(guān)斷。零電流開(kāi)關(guān)的特點(diǎn):能保證運行中的開(kāi)關(guān)器件在關(guān)斷信號來(lái)到之前,流經(jīng)開(kāi)關(guān)管的電流就已經(jīng)下降為零,這樣就保證了器件在零電流的條件下能斷開(kāi);零電壓開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)是能夠保證運行中的器件在開(kāi)通信號來(lái)到之前,開(kāi)關(guān)管的端電壓就已經(jīng)下降為零了,從而能使開(kāi)關(guān)管在零電壓下導通。諧振式變換器有這樣的缺點(diǎn):1)功率電路拓撲較復雜,在不同負載條件下,存在不同工作模式;2)QRC, MRC都是變頻控制,所以控制電路較復雜;3)諧振波形使開(kāi)關(guān)管電壓或其電流應力比PWM變換器還要大得多。針對以上局限性,人們提出了其他的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。
3軟開(kāi)關(guān)技術(shù)
軟開(kāi)關(guān)變換器為QRC和PWM開(kāi)關(guān)變換器組合在一起的綜合:在QRC變換器中若增加一個(gè)輔助開(kāi)關(guān),以控制諧振為網(wǎng)絡(luò )工作,使變換器在整個(gè)周期內,一部分時(shí)間是按ZVS或ZCS準諧振變換器來(lái)工作,另一部分時(shí)間則按PVYM變換器來(lái)工作。因此它兼具有諧振變換技術(shù)或PWM變換技術(shù)共有的特點(diǎn).
下面再來(lái)介紹控制電路:
控制電路我們采用ON Semiconductor(安森美)公司所生產(chǎn)的NCP1200芯片。NCP1200是種新型的高頻開(kāi)關(guān)電源芯片,它將開(kāi)關(guān)電源中最為重要的兩個(gè)部分即PWM控制集成電路和功率開(kāi)關(guān)管MOSFET電路集成在一個(gè)芯片上,構成PWM/MOSFET二合為一的集成芯片,能使外部電路得到簡(jiǎn)化,讓工作頻率可達100kHz,交流輸入電壓為100V~250V,AC/DC轉換效率可達到90%。對70W 以下開(kāi)關(guān)電源,主功率器件采用NCP1200,與其他電路相比,重量輕、體積小、自我保護的又功能齊全,從而降低了開(kāi)關(guān)電源在設計過(guò)程中的復雜性。特別適合于中小功率AC-DC電源、各類(lèi)充電適配器、DVD電壓等的設計。
4 EMI濾波器
EMI信號濾波器是可以濾除導線(xiàn)上各種工作時(shí)不需要的高頻干擾成份,其可用在各種信號線(xiàn)(包括直流電源線(xiàn))上當低通濾波器。最有效的接收和輻射天線(xiàn)是線(xiàn)路板上的導線(xiàn),由于導線(xiàn)存在,這樣會(huì )使線(xiàn)路板產(chǎn)生強電磁輻射。與此,這些導線(xiàn)還能接收外部來(lái)的電磁干擾,使電路相對干擾很是敏感。解決高頻電磁的干擾輻射和接收最有效的辦法是在導線(xiàn)上使用信號濾波器, 如不用信號濾波器時(shí),脈沖信號的高頻成份就很豐富,這些高頻成份還可借助導線(xiàn)輻射,這樣線(xiàn)路板的輻射就會(huì )超標。所以使用了濾波器以后,脈沖信號的高頻成份就會(huì )消弱很多,正因為高頻信號的輻射效率非常高,隨著(zhù)高頻成份的減少,線(xiàn)路板的輻射會(huì )改善很多。按安裝方式和外形信號濾波器可分為: 貫通濾波器、有線(xiàn)路板安裝濾波器、連接器濾波器等。通常使用線(xiàn)路板安裝濾波器較多,其具有經(jīng)濟性高、安裝方便等優(yōu)點(diǎn)。
5 TL431反饋電路
反饋的概念,是指將放大電路的輸出量(電壓或電流信號)一部分或全部,通過(guò)一定的方式(元件或網(wǎng)絡(luò ))輸送到輸入回路,完成輸出量與輸入端回送的電路就稱(chēng)為反饋元件或反饋支路,具有反饋回路的放大電路即稱(chēng)反饋放大電路。
隨著(zhù)電子技術(shù)的不斷高速發(fā)展,電源技術(shù)也跟著(zhù)不斷完善和提高。像自激型的開(kāi)關(guān)穩壓電源,在過(guò)去其輸出的功率只能達到大概50W,而現在可以達到100W以上。這些變化是源于電路技術(shù)的進(jìn)一步成熟和采用新型元器件的結果。
最后設計開(kāi)關(guān)電源整體系統圖:
電路如圖所示:電源適配器由NCP1200構成6.5V、0.6A,它可為隨身聽(tīng)、電動(dòng)玩具或一般家電提供電源。該適配器對全部85~265V的交流電源均適用。交流電壓經(jīng)過(guò)橋式整流器(BR)、電磁干擾濾波器(L1、L2、R4、R5)和濾波電容(C1、C2),得到直流高壓U1,分別連到NCP1200的HV端、高頻變壓器初級的一端。在剛獲得電源時(shí)能降低輸入濾波電容上的沖擊電流。吸收電路由R6、C5、VD1組成的鉗位電路和R7和C6構成,可吸收尖峰電壓,這樣就可降低電磁干擾。外部功率開(kāi)關(guān)管是采用MTDIN60E型M0SFET管,最大漏極電流為IDM=1A,漏源擊穿電壓為U(BR)DS=600V,管子最大功耗為PDM=1.75W。輸出整流濾波器是由VD2、C3、C4組成。光耦反饋電路是由限流電阻R1、光耦合器IC2(PC817A)和5.1V穩壓管(1N5993B)組成的。輸出電壓是這3個(gè)元器件上的電壓降之和。因IC2中LED的正向壓降ULED≈1V,工作電流ILED設定為0.85mA, Rl=220Ω,故Uo=URl+UrrD+UDZ=(0.85×10-3×220)+1+5.1≈6.5V。高頻變壓器采用E16型磁芯,初級繞組的電感量Lp=2.9mH,漏感Lpo=80us,匝數比n=Np/Ns=12.5。
開(kāi)關(guān)電源整體電路原理
電源技術(shù)發(fā)展的趨勢是開(kāi)關(guān)電源高頻化,高頻化帶來(lái)的優(yōu)勢是使開(kāi)關(guān)電源裝置空前微型化,并使開(kāi)關(guān)電源應用領(lǐng)域更加廣泛,特別是應用在高新技術(shù)領(lǐng)域,推動(dòng)了高新技術(shù)產(chǎn)品的微型化、輕便化。另外開(kāi)關(guān)電源在節約資源及保護環(huán)境方面的發(fā)展與應用更具有深遠意義。
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