隨著(zhù)新一年的考研的到來(lái)，各地院校的考研大綱也相繼出臺了。下面是小編為大家整理收集的2017年上海大學(xué)830電磁場(chǎng)理論基礎考研初試大綱，僅供大家參考。

　　考試科目：830電磁場(chǎng)理論基礎

　　一、復習要求：

　　要求考生掌握宏觀(guān)電磁場(chǎng)和電磁波的基本規律，學(xué)會(huì )用場(chǎng)的觀(guān)點(diǎn)理解和分析計算一些基本的電磁場(chǎng)和電磁波問(wèn)題。

　　二、主要復習內容：

　　1.矢量分析

　　(1)散度和散度定理的定義和計算;

　　(2)旋度和斯托克斯定理的定義和計算;

　　(3)梯度的定義和計算;

　　(4)直角坐標系、柱坐標系和球坐標系的長(cháng)度元和哈密頓算符的表示及坐標的相互轉換;

　　(5)掌握亥姆霍茲定理及對電磁場(chǎng)的應用;

　　重點(diǎn)：散度定理，斯托克斯定理，亥姆霍茲定理;散度，旋度，梯度，哈密頓算符。

　　2.電磁場(chǎng)基本方程

　　(1)麥克斯韋方程組的微分形式和積分形式、名稱(chēng)及意義，獨立方程及非獨立方程的導出;

　　(2)本構關(guān)系和限定形式麥克斯韋方程組及波動(dòng)方程的導出;

　　(3)電磁場(chǎng)位函數的定義及其方程的導出;

　　(4)四項電磁場(chǎng)邊界條件的代數式和矢量式;

　　(5)坡印廷矢量和坡印廷定理的定義和意義;

　　(6)唯一性定理;

　　重點(diǎn)：麥克斯韋方程組的微分形式和積分形式，波動(dòng)方程，電磁場(chǎng)邊界條件的代數式和矢量式;位移電流，電磁場(chǎng)位函數，坡印廷定理及其意義。

　　3.時(shí)變電磁場(chǎng)和平面電磁波

　　(1)時(shí)諧電磁場(chǎng)的復數表示，能寫(xiě)出其瞬時(shí)式及反之;

　　(2)理解復麥克斯韋方程組和復坡印廷矢量的含義;

　　(3)理想介質(zhì)中平面波的表示式和特點(diǎn);

　　(4)導電媒質(zhì)中平面波的表示式和特點(diǎn);

　　(5)電磁波的色散和群速含義;

　　(6)三種極化方式的表示式和特點(diǎn);

　　重點(diǎn)：時(shí)諧電磁場(chǎng)的復數表示，能寫(xiě)出其瞬時(shí)式及反之，復麥克斯韋方程組，理想介質(zhì)中平面波的表示式和特點(diǎn)，電磁波的極化;復坡印廷矢量的定義與意義，導電媒質(zhì)中平面波的表示式和特點(diǎn)，圓極化和線(xiàn)極化的表示式。

　　4.平面電磁波的反射和折射

　　基本要求

　　(1)平面波對平面邊界垂直入射時(shí)入射波、反射波及其合成場(chǎng)和透射波的表示式及特點(diǎn);

　　(2)掌握平面波對理想導體斜入射時(shí)的入射波、反射波及其合成場(chǎng)的表示式及特點(diǎn);

　　(3)掌握平面波對理想介質(zhì)斜入射時(shí)的入射波、反射波及其合成場(chǎng)和透射波的表示式及特點(diǎn)，了解相位匹配條件，會(huì )應用菲聶耳公式;

　　(4)掌握全折射和全反射的特點(diǎn)和條件.

　　重點(diǎn)：平面波對平面邊界垂直入射時(shí)入射波、反射波及其合成場(chǎng)和透射波的表示式及特點(diǎn)，平面波對理想導體和理想介質(zhì)斜入射時(shí)的入射波、反射波及其合成場(chǎng)的表示式及特點(diǎn)，全折射和全反射的特點(diǎn)和條件;行波和駐波的表示式和特點(diǎn)，菲涅耳公式的導出和應用。

　　5.電磁波的輻射與散射

　　(1)電流元的定義及其外場(chǎng)推導和分區特點(diǎn)，電流元遠區場(chǎng)的計算公式和特點(diǎn)，輻射方向圖和輻射電阻的定義和意義;

　　(2)掌握半波振子遠區場(chǎng)公式和特點(diǎn)及其方向圖

　　(3)磁流源的定義及其輻射。

　　(4)了解方向圖乘積定理。

　　重點(diǎn)：電流元和半波振子遠區場(chǎng)的計算公式和特點(diǎn)，輻射方向圖的定義和意義，磁流源

　　6.靜態(tài)場(chǎng)邊值問(wèn)題的解法

　　直角坐標下的鏡像法和分離變量法

　　重點(diǎn)：直角坐標下的分離變量法;分離變量法解式的選擇。