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如何分辨固態(tài)硬盤(pán)是否損壞
時(shí)下硬盤(pán)主要分為機械硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)兩種，而以往的機械硬盤(pán)在電腦硬件中，屬于比較容易損壞的硬件，那么固態(tài)硬盤(pán)容易壞嗎?如何分辨固態(tài)硬盤(pán)是否損壞?本次就給大家介紹下。
固態(tài)硬盤(pán)容易壞嗎?
從理論上來(lái)說(shuō)，固態(tài)硬盤(pán)相比機械硬盤(pán)更容易損壞一些，這主要是壽命決定的。不過(guò)，用戶(hù)也無(wú)需擔心，一般正常使用，固態(tài)硬盤(pán)使用3-5五年壓力不大，因此關(guān)于固態(tài)硬盤(pán)是否容易壞，只是一個(gè)相對的問(wèn)題。
如何分辨固態(tài)硬盤(pán)是否損壞
征兆1：出現壞塊
機械硬盤(pán)“壞道”，固態(tài)硬盤(pán)存在“壞塊”也就不奇怪了。出現此類(lèi)問(wèn)題的通常表現為操作系統需要非常長(cháng)的時(shí)間來(lái)嘗試讀取或保存某個(gè)文件，而最終會(huì )出現類(lèi)似“放棄操作“的錯誤信息。而出現“壞塊”的常見(jiàn)癥狀有：
征兆2：文件無(wú)法讀或取
(1)當系統檢測到數據將寫(xiě)入壞塊時(shí)，將直接拒絕寫(xiě)入;
(2) 對于已寫(xiě)入壞塊中的數據，操作系統將拒絕讀取;
征兆3：文件系統需要修復
這是大家最害怕，也是最直觀(guān)的征兆：電腦出現藍屏，上面顯示著(zhù)大大的Recovery字標。
征兆4：?jiǎn)?dòng)時(shí)頻繁死機崩潰
如果你的磁盤(pán)即將“犧牲”，那么你開(kāi)機的時(shí)候系統就會(huì )經(jīng)常在啟動(dòng)過(guò)程中崩潰。
征兆5：磁盤(pán)變成只讀
如果你沒(méi)有修改任何手動(dòng)設置磁盤(pán)為只讀模式，但SSD突然變成了只讀模式，那多半就是SSD掛了，不過(guò)數據還是可以讀出，算是不幸中的萬(wàn)幸。
以上就是我介紹的如何分辨固態(tài)硬盤(pán)是否損壞，希望對你有幫助。
拓展：固態(tài)硬盤(pán)介紹
一、閃存的類(lèi)型
閃存芯片中，除了我們耳熟能祥的SLC、MLC、TLC以外，還有一種叫QLC閃存芯片。
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其結構簡(jiǎn)單但是執行效率高，最大的特點(diǎn)就是速度快，壽命長(cháng)，價(jià)格超貴（約MLC 3倍以上的價(jià)格），約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四個(gè)充電值。因此，要比SLC需要更多的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間。其最大特點(diǎn)就是速度中等，壽命中等，價(jià)格比SLC便宜，約3000---10000次擦寫(xiě)壽命。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每個(gè)單元可以存放比MLC多1/2的數據，共八個(gè)充電值，111、110、101、011、010、001、000。最大特點(diǎn)就是速度慢壽命短，約500-1000次擦寫(xiě)壽命，但價(jià)格是三者最低的。
QLC = Quad-Level Cell，我們知道，TLC閃存是每個(gè)Cell單元存儲3位電荷，有8種狀態(tài)，QLC閃存則是存儲4位電荷，有16種狀態(tài)。這意味著(zhù)QLC閃存單位存儲密度更大，是TLC的2倍，單顆芯片可達到256GB甚至512GB。但是，也因如此，QLC閃存的電壓更難控制，寫(xiě)入速度更低，可靠、穩定性及壽命比TLC更差。
二、固態(tài)硬盤(pán)怎么存儲？
同機械硬盤(pán)原理區別很大，固態(tài)硬盤(pán)是用NAND Flash來(lái)存儲數據。NAND Flash在物理結構上是由一個(gè)一個(gè)的“塊”組成。每個(gè)塊都有一定的擦除壽命（P/E），當擦除壽命達到時(shí)，這個(gè)塊就會(huì )損壞了。不知道大家注意沒(méi)有，現在的固態(tài)硬盤(pán)和機械硬盤(pán)不同，容量都是120GB、240GB、480GB、960GB，而不是我們通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。近似規格的容量，其實(shí)都是用來(lái)校驗數據和備份冗余這些“塊”的。
理論上，TLC閃存是為了能夠支持100TB級別的固態(tài)硬盤(pán)而設計出來(lái)的閃存結構（密度大），當然，這僅僅是理論支持而已，成本上依然不能讓普通用戶(hù)接受。所以存儲密度更大的QLC出現，就是進(jìn)一步加強固態(tài)硬盤(pán)容量的技術(shù)變革。小編預測QLC閃存的固態(tài)硬盤(pán)推出時(shí)，將是真正TB（960GB）級別固態(tài)硬盤(pán)走向普及的第一步（當然不要幻想和機械硬盤(pán)同量同價(jià)哦）。而且在超大容量面前，寫(xiě)入次數少的問(wèn)題也可以依靠更多的冗余來(lái)彌補，更何況擦除壽命這個(gè)事兒，本身就沒(méi)什么可擔心的。
三、固態(tài)硬盤(pán)能寫(xiě)多少？
根據NAND Flash的類(lèi)型不同，擦除壽命P/E也不相同，目前存在的NAND Flash分為SLC、MLC、TLC三種類(lèi)型，加上即將出現的QLC一共是四種。三種類(lèi)型的閃存P/E分別為SLC 5000～10000次，MLC 1000～3000次，TLC 500～1000次。QLC有多少呢？根據現在的說(shuō)法，QLC結構的閃存P/E只有150次。150次那不是完全不能用嗎？別擔心，技術(shù)在進(jìn)步，這只是初期的技術(shù)驗證產(chǎn)物，后續肯定會(huì )改良。別忘了TLC剛剛上市的時(shí)候，P/E不過(guò)500次而已。
在這里，小編還要給大家解除一個(gè)誤區，很多人說(shuō)寫(xiě)入次數太少了肯定壽命短，但是這個(gè)長(cháng)短的概念可真不是單純字面理解的1000次、3000次什么的。舉個(gè)實(shí)際點(diǎn)的例子吧，小編的120GB固態(tài)硬盤(pán)是TLC的，按照1000次的P/E寫(xiě)入次數計算，這塊硬盤(pán)的寫(xiě)入總量應該是120×1000=120000GB，如果是每天寫(xiě)滿(mǎn)120GB，那么它的壽命理論是2.7年。是不是感覺(jué)很少呢？
這就是問(wèn)題所在，說(shuō)說(shuō)結果吧，從今年1月3日開(kāi)始使用這塊固態(tài)硬盤(pán)，目前為止接近半年時(shí)間（180天）總計寫(xiě)入量為2413GB，相當于平均每天只寫(xiě)入了13.4GB，距離理論每天寫(xiě)滿(mǎn)120GB差了將近10倍，2.7年的所謂理論壽命是不是毫無(wú)意義了？
四、固態(tài)硬盤(pán)壽命殺手究竟是誰(shuí)？
與其擔心寫(xiě)入量的問(wèn)題會(huì )影響固態(tài)硬盤(pán)壽命，不如擔心一下固態(tài)硬盤(pán)壽命的真正殺手——過(guò)熱和突然斷電。因為固態(tài)硬盤(pán)是用電信號擦除寫(xiě)入數據，所以突然斷電對固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)非常嚴重的事情，頻繁的突然斷電可能會(huì )導致數據丟失，包括已寫(xiě)入保存的數據！這和機械硬盤(pán)是有本質(zhì)區別的。所謂突然斷電，比如說(shuō)停電、硬關(guān)機這類(lèi)都屬于斷電范疇。
另一個(gè)壽命殺手就是過(guò)熱了，固態(tài)硬盤(pán)其實(shí)耐熱能力不如機械硬盤(pán)，過(guò)熱會(huì )極大縮短固態(tài)硬盤(pán)中閃存顆粒的壽命，這是因為電子芯片會(huì )因為過(guò)熱產(chǎn)生一種叫做電子遷移的現象，說(shuō)白一點(diǎn)就是加速老化，從物理結構上造成不可逆的壽命損傷，如果長(cháng)時(shí)間高強度使用固態(tài)硬盤(pán)，再加上散熱工作不到位，就很容易造成固態(tài)硬盤(pán)過(guò)熱，就小編的看法，這遠比關(guān)心閃存顆粒的擦寫(xiě)次數更值得關(guān)注。
QLC雖說(shuō)速度、壽命、穩定性等方面比TLC差，但是更便宜的成本、更大容量的優(yōu)勢是無(wú)法忽視的。就像當年TLC從不被接納到廣泛認可，目前QLC閃存處于研發(fā)階段，要想它能夠運用到SSD上還需要一段時(shí)間，技術(shù)的進(jìn)步，大家擔心的固態(tài)硬盤(pán)壽命有多長(cháng)的問(wèn)題相信都會(huì )得到很好的解決的。
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