Ca2Si電子結構和光學(xué)性質(zhì)的研究

全部作者： 楊創(chuàng )華 謝泉 趙鳳娟 陳茜 任雪勇 梁艷 曾武賢 第1作者單位： 貴州大學(xué) 論文摘要： 采用第1性原理贗勢平面波方法系統的計算了Ca2Si電子結構和光學(xué)性質(zhì)，其中包括能帶、態(tài)密度、介電函數、復折射率、吸收系數、光電導率和能量損失函數。計算結果顯示Ca2Si是典型的半導體，正交相結構有1個(gè)直接的帶隙，并且光學(xué)性質(zhì)顯示出各向異性。Ca2Si立方相的計算結果也顯示是直接帶隙半導體，并且有很高的振子強度。從能帶和態(tài)密度的計算結果判斷出它們的光學(xué)性質(zhì)主要由Si的3p態(tài)電子向Ca的3d態(tài)的帶間躍遷所決定。 關(guān)鍵詞： Ca2Si； 第1性原理計算； 電子結構； 光學(xué)性質(zhì) (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月11日 同行評議：

目前尋求與硅集成電路工藝.相兼容的光電子材料是半導體材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之1。Ca2Si就是潛在的有應用前景的1種材料。但是，目前關(guān)于該材料的實(shí)驗和理論的研究都處于起步階段。楊創(chuàng )華等人的論文從第1性原理出發(fā)，研究了Ca2Si的電子結構和光學(xué)性質(zhì)，該出了該材料的能帶，態(tài)密度，介電函數，復折射率，吸收系數，光電導率和能量損失函數的有關(guān)結果，并證實(shí)立方相Ca2Si是直接帶隙半導體。論文得到的結果對于今后的研究具有較好的參考價(jià)值。該論文行文流暢，分析合理，邏輯性強。

綜合評價(jià)： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專(zhuān)家給出的評審意見(jiàn)，綜合評價(jià)是綜合專(zhuān)家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

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