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SoC系統的低功耗設計

時(shí)間:2024-06-22 10:01:13 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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SoC系統的低功耗設計

摘要:功耗問(wèn)題正日益變成VLSI系統實(shí)現的一個(gè)限制因素。對便攜式應用來(lái)說(shuō),其主要原因在于電池壽命,對固定應用則在于最高工作溫度。由于電子系統設計的復雜度在日益提高,導致系統的功耗得到其主要功耗成分。其次,以該主要功耗成分數學(xué)表達式為依據,突出實(shí)現SoC低功耗設計的各種級別層次的不同方法。

引言

從20世紀80年代初到90年代初的10年里,微電子領(lǐng)域的很多研究工作都集中到了數字系統速度的提高上,現如今的技術(shù)擁有的計算能力能夠使強大的個(gè)人工作站、復雜實(shí)時(shí)語(yǔ)音和圖像識別的多媒體計算機的實(shí)現成為可能。高速的計算能力對于百姓大眾來(lái)說(shuō)是觸指可及的,不像早些年代那樣只為少數人服務(wù)。另外,用戶(hù)希望在任何地方都能訪(fǎng)問(wèn)到這種計算能力,而不是被一個(gè)有線(xiàn)的物理網(wǎng)絡(luò )所束縛。便攜能力對產(chǎn)品的尺寸、重量和功耗加上嚴格的要求。由于傳統的鎳鉻電池每磅僅能提供20W.h的能量,因而功耗就變得尤為重要。電池技術(shù)正在改進(jìn),每5年最大能將電池的性能提高30%,然而其不可能在短期內顯著(zhù)地解決現在正遇到的功耗問(wèn)題。

雖然傳統可便攜數字應用的支柱技術(shù)已經(jīng)成功地用于低功耗、低性能的產(chǎn)品上,諸如電子手表、袖珍計算器等等,但是有很多低功耗、高性能可便攜的應用一直在增長(cháng)。例如,筆記本計算機就代表了計算機工業(yè)里增長(cháng)最快的部分。它們要求與桌上計算機一樣具有同樣的計算能力。同樣的要求在個(gè)人通信領(lǐng)域也正在迅速地發(fā)展,如采用了復雜語(yǔ)音編解碼算法和無(wú)線(xiàn)電調制解調器的帶袖珍通信終端的新一代數字蜂窩網(wǎng)。已提出的未來(lái)個(gè)人通信服務(wù)PCS(Personal Communication Services)應用對這些要求尤其明顯,通用可便攜多媒體服務(wù)是要支持完整的數字語(yǔ)音和圖像辨別處理的。在這些應用中,不僅語(yǔ)音,而且數據也要能在無(wú)線(xiàn)鏈路上傳輸。這就為實(shí)現任何人在任何地方的任何時(shí)間開(kāi)展任何想要的業(yè)務(wù)提供了可能。但是,花在對語(yǔ)音、圖像的壓縮和解壓上的功耗就必須附加在這些可便攜的終端上。確實(shí),可便攜能力已經(jīng)不再明顯地和低性能聯(lián)系在一起了;相反,高性能且可便攜的應用正在逐步得到實(shí)現。

當功率可以在非便攜環(huán)境中獲得時(shí),低功耗設計的總理也變得十分關(guān)鍵。直到現在,由于大的封裝、散熱片和風(fēng)扇能夠輕而易舉地散掉芯片和系統所產(chǎn)生的熱,其功耗還未引起多大的重視。然而,隨著(zhù)芯片和系統尺寸持續地增加,要提供充分的散熱能力就必須付出重要代價(jià),或使所提供的總體功能達到極限時(shí),設計高性能、低功耗數字系統方法的需求就會(huì )變得更為顯著(zhù)。幸好,現在已經(jīng)發(fā)展了許多技術(shù)來(lái)克服這些矛盾。

由于可以高度集成,并具有低功耗、輸入電流小、連接方便和具有比例性等性質(zhì),CMOS邏輯電路被認為是現今最通用的大規模集成電路技術(shù)。下面研究CMOS集成電路的功耗組成,概述實(shí)現集成電路——SoC(System on Chip)系統的低功耗設計的諸多方法。目的在于揭示當今電子系統結構復雜度、速度和其功耗的內在聯(lián)系,在及在數字電子系統設計方向上潛在的啟示。

1 CMOS集成電路功耗的物理源

要研究SoC的低功耗設計,首先要物理層次上弄清該集成電路的功耗組成,其次,才能從物理實(shí)現到系統實(shí)現上采用各種方法來(lái)節省功耗,達到低功耗設計的目的。圖1為典型CMOS數字電路的功耗物理組成。

(1)動(dòng)態(tài)功耗

動(dòng)態(tài)功耗是由電路中的電容引起的。設C為CMOS電路的電容,電容值為PMOS管從0狀態(tài)到H狀態(tài)所需的電壓與電量的比值。以一個(gè)反相器為例,當該電壓為Vdd時(shí),從0到H狀態(tài)變化(輸入端)所需要的能量是CVdd2。其中一半的能量存儲在電容之中,另一半的能量擴展在PMOS之中。對于輸出端來(lái)說(shuō),它從H到0過(guò)程中,不需要Vdd的充電,但是在NMOS下拉的過(guò)程中,會(huì )把電容存儲的另一半能量消耗掉。如果CMOS在每次時(shí)鐘變化時(shí)都變化一次,則所耗的功率就是CBdd2f,但并不是在每個(gè)時(shí)鐘跳變過(guò)程之中,所有的CMOS電容都會(huì )進(jìn)行一次轉換(除了時(shí)鐘緩沖器),所以最后要再加上一個(gè)概率因子a。電路活動(dòng)因子a代表的是,在平均時(shí)間內,一個(gè)節點(diǎn)之中,每個(gè)時(shí)鐘周期之內,這個(gè)節點(diǎn)所變化的幾率。最終得到的功耗表達式為:Psw=aCVdd2f。

(2)內部短路功耗

CMOS電路中,如果條件Vtn

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