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內存條常識介紹
今天，小編就給大家介紹內存條常識，讓大家更了解主板，希望能幫到廣大網(wǎng)友。
一、看懂內存條
我們平常所說(shuō)的“內存”大都是指“內存條”。那么什么是“內存條”呢?常見(jiàn)的“內存條”又有哪些類(lèi)型呢?
1.內存條的誕生
當CPU在工作時(shí)，需要從硬盤(pán)等外部存儲器上讀取數據，但由于硬盤(pán)這個(gè)“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數據的速度就比較慢，導致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣!為了解決這個(gè)問(wèn)題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個(gè)“小倉庫”—內存。
內存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉速度非�？�，如此一來(lái)，當CPU需要數據時(shí)，事先可以將部分數據存放在內存中，以解CPU的燃眉之急。由于內存只是一個(gè)“中轉倉庫”，因此它并不能用來(lái)長(cháng)時(shí)間存儲數據。
2.常見(jiàn)的內存條
目前PC中所用的內存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類(lèi)型。
曾經(jīng)主流—SDRAM
SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器”。SDRAM內存條的兩面都有金手指，是直接插在內存條插槽中的，因此這種結構也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內存條都采用這種“DIMM”結構。
隨著(zhù)處理器前端總線(xiàn)的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場(chǎng)。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM(簡(jiǎn)稱(chēng)DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM，雙倍數據速度)技術(shù)的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時(shí)鐘周期內，DDR SDRAM能傳輸兩次數據，而SDRAM只能傳輸一次數據。
從外形上看DDR內存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長(cháng)度與同樣的引腳距離。只不過(guò)DDR內存條有184個(gè)引腳，金手指中也只有一個(gè)缺口，而SDRAM內存條是168個(gè)引腳，并且有兩個(gè)缺口。
根據DDR內存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類(lèi)型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統總線(xiàn)頻率 同步的，不過(guò)因為雙倍數據傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來(lái)表示。
小提示：工作頻率表示內存所能穩定運行的最大頻率，例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來(lái)標示DDR內存條之外，有時(shí)也用帶寬值來(lái)標示，例如DDR 266的內存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來(lái)標示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內存帶寬也叫“數據傳輸率”，是指單位時(shí)間內通過(guò)內存的數據量，通常以GB/s表示。我們用一個(gè)簡(jiǎn)短的公式來(lái)說(shuō)明內存帶寬的計算方法：內存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時(shí)鐘脈沖上下沿傳輸系數，DDR的系數為2)。
由于DDR內存條價(jià)格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內存產(chǎn)品。
過(guò)時(shí)的貴族—RDRAM
RDRAM(存儲器總線(xiàn)式動(dòng)態(tài)隨機存儲器)是Rambus公司開(kāi)發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時(shí)鐘頻率要高得多。
從外觀(guān)上來(lái)看，RDRAM內存條與SDRAM、DDR SDRAM內存條有點(diǎn)相似。
從技術(shù)上來(lái)看，RDRAM是一種比較先進(jìn)的內存，但由于價(jià)格高，在市場(chǎng)上普及不是很實(shí)際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機市場(chǎng)。
3.內存的封裝
目前內存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著(zhù)內存條的性能優(yōu)劣。
TSOP封裝：TOSP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)的一個(gè)典型特點(diǎn)就是在封裝芯片的周?chē)龀龊芏嘁_。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。
BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點(diǎn)就是芯片的引腳數目增多了，組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內存在體積不變的情況下將內存容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
CSP封裝：CSP(Chip Scale Package，芯片級封裝)作為新一代封裝方式，其性能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小，同時(shí)也更薄，更能提高內存芯片長(cháng)時(shí)間運行的可靠性，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內存。
二、內存強檔
要進(jìn)一步了解內存，以下的內容一定不能錯過(guò)。其中內存的時(shí)鐘周期、存取時(shí)間和CAS延遲時(shí)間是衡量?jì)却嫘阅鼙容^直接的重要參數，它們都可以在主板BIOS中設置，這個(gè)問(wèn)題將在以后介紹BIOS的時(shí)候詳細闡述。
1.時(shí)鐘周期(TCK)
TCK 是“Clock Cycle Time”的縮寫(xiě)，即內存時(shí)鐘周期。它代表了內存可以運行的最大工作頻率，數字越小說(shuō)明內存所能運行的頻率就越高。時(shí)鐘周期與內存的工作頻率是成倒數的， 即TCK=1/F。比如一塊標有“-10”字樣的內存芯片，“-10”表示它的運行時(shí)鐘周期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。
2.存取時(shí)間(TAC)
TAC(Access Time From CLK)表示“存取時(shí)間”。與時(shí)鐘周期不同，TAC僅僅代表訪(fǎng)問(wèn)數據所需要的時(shí)間。如一塊標有“-7J”字樣的內存芯片說(shuō)明該內存條的存取時(shí)間是7ns。 存取時(shí)間越短，則該內存條的性能越好，比如說(shuō)兩根內存條都工作在133MHz下，其中一根的存取時(shí)間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好于后 者。
3.CAS延遲時(shí)間(CL)
CL(CAS Latency)是內存性能的一個(gè)重要指標，它是內存縱向地址脈沖的反應時(shí)間。當電腦需要向內存讀取數據時(shí)，在實(shí)際讀取之前一般都有一個(gè)“緩沖期”，而 “緩沖期”的時(shí)間長(cháng)度，就是這個(gè)CL了。內存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的周期有助于加快內存在同一頻率下的工作速度。
4.奇偶校驗(ECC)
內存是一種數據中轉“倉庫”，而在頻繁的中轉過(guò)程中，一旦搞錯了數據怎么辦?而ECC就是一種數據檢驗機制。ECC不僅能夠判斷數據的正確性，還能糾正大多數錯誤。普通PC中一般不用這種內存，它們一般應用在高端的服務(wù)器電腦中。
目前市場(chǎng)上主流的內存有SDRAM和DDR SDRAM，內存條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現代等等。
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