自動(dòng)化實(shí)驗報告

　　我們眼下的社會(huì )，報告使用的頻率越來(lái)越高，不同種類(lèi)的報告具有不同的用途。一聽(tīng)到寫(xiě)報告就拖延癥懶癌齊復發(fā)？以下是小編收集整理的自動(dòng)化實(shí)驗報告，僅供參考，歡迎大家閱讀。

自動(dòng)化實(shí)驗報告1

　　一、實(shí)驗目的

　　通過(guò)模擬立體倉庫這一實(shí)驗，了解企業(yè)倉庫的具體運作，關(guān)注其中的注意事項，并掌握立體倉庫控制系統的操作方法。

　　二、實(shí)驗環(huán)境

　　模擬立體倉庫、立體倉庫控制軟件、物料盒等其他設備

　　三、實(shí)驗內容與步驟（寫(xiě)出每步實(shí)驗大致步驟以及結果）

　　1、制作條形碼

　　打開(kāi)軟件→修改數據源→保存→將條形碼調到合適的.位置→打印四份

　　2、立體倉庫

　�。�1）入庫

　　將打印好的條形碼貼到物料盒的四個(gè)面上并放在倉庫入口處等待掃描入庫→打開(kāi)立體倉庫控

　　制軟件→核對堆垛機當前位置→設置入庫作業(yè)→輸入條形碼→添加入庫請求并選入貨臺→生成入貨單→返回主頁(yè)面并導入入庫作業(yè)→物料盒成功入庫

　�。�2）出庫

　　在入庫成功的前提下設置出庫作業(yè)→添加出庫請求→根據倉位出庫并選擇出口→導入出庫作業(yè)單→導入出庫作業(yè)→完成

　　四、實(shí)驗心得

　　通過(guò)本次實(shí)驗，我們親身體驗了企業(yè)立體倉庫的運作，對立體倉庫有了具體的認識，獲得的印象也比理論教學(xué)更為深刻，為將來(lái)到物流企業(yè)工作打下基礎。

自動(dòng)化實(shí)驗報告2

　　一、實(shí)驗目的：

　　了解金屬箔式應變片的應變效應，并掌握單臂電橋工作原理和性能。

　　二、基本原理：

　　電阻應變式傳感器是在彈性元件上通過(guò)特定工藝粘貼電阻應變片來(lái)組成。一種利用電阻材料的應變效應將工程結構件的內部變形轉換為電阻變化的傳感器。此類(lèi)傳感器主要是通過(guò)一定的機械裝置將被測量轉化成彈性元件的變形，然后由電阻應變片將彈性元件的變形轉換成電阻的變化，再通過(guò)測量電路將電阻的變化轉換成電壓或電流變化信號輸出。它可用于能轉化成變形的各種非電物理量的檢測，如力、壓力、加速度、力矩、重量等，在機械加工、計量、建筑測量等行業(yè)應用十分廣泛。

　　1、應變片的電阻應變效應。

　　所謂電阻應變效應是指具有規則外形的金屬導體或半導體材料在外力作用下產(chǎn)生應變而其電阻值也會(huì )產(chǎn)生相應地改變，這一物理現象稱(chēng)為“電阻應變效應”。以圓柱形導體為例：設其長(cháng)為：L、半徑為r、材料的電阻率為ρ時(shí)，根據電阻的定義式得（1—1）。

　　當導體因某種原因產(chǎn)生應變時(shí)，其長(cháng)度L、截面積A和電阻率ρ的變化為dL、dA、dρ相應的電阻變化為dR。對式（1—1）全微分得電阻變化率dR/R為：（1—2）。

　　式中：dL/L為導體的軸向應變量εL；dr/r為導體的橫向應變量εr。

　　由材料力學(xué)得：εL= — μεr（1—3）。

　　式中：μ為材料的泊松比，大多數金屬材料的泊松比為0。3～0。5左右；負號表示兩者的變化方向相反。將式（1—3）代入式（1—2）得：（1—4）。

　　式（1—4）說(shuō)明電阻應變效應主要取決于它的幾何應變（幾何效應）和本身特有的導電性能（壓阻效應）。

　　2、應變靈敏度

　　它是指電阻應變片在單位應變作用下所產(chǎn)生的電阻的相對變化量。

　�。�1）金屬導體的應變靈敏度K：主要取決于其幾何效應；可�。�1—5）

　　其靈敏度系數為：

　　K =金屬導體在受到應變作用時(shí)將產(chǎn)生電阻的變化，拉伸時(shí)電阻增大，壓縮時(shí)電阻減小，且與其軸向應變成正比。金屬導體的電阻應變靈敏度一般在2左右。

　�。�2）半導體的.應變靈敏度：主要取決于其壓阻效應；dR/R<≈dρ？ρ。半導體材料之所以具有較大的電阻變化率，是因為它有遠比金屬導體顯著(zhù)得多的壓阻效應。在半導體受力變形時(shí)會(huì )暫時(shí)改變晶體結構的對稱(chēng)性，因而改變了半導體的導電機理，使得它的電阻率發(fā)生變化，這種物理現象稱(chēng)之為半導體的壓阻效應。不同材質(zhì)的半導體材料在不同受力條件下產(chǎn)生的壓阻效應不同，可以是正（使電阻增大）的或負（使電阻減�。┑膲鹤栊�應。也就是說(shuō)，同樣是拉伸變形，不同材質(zhì)的半導體將得到完全相反的電阻變化效果。

　　半導體材料的電阻應變效應主要體現為壓阻效應，其靈敏度系數較大，一般在100到200左右。

　　3、貼片式應變片應用

　　在貼片式工藝的傳感器上普遍應用金屬箔式應變片，貼片式半導體應變片（溫漂、穩定性、線(xiàn)性度不好而且易損壞）很少應用。一般半導體應變采用N型單晶硅為傳感器的彈性元件，在它上面直接蒸鍍擴散出半導體電阻應變薄膜（擴散出敏感柵），制成擴散型壓阻式（壓阻效應）傳感器。本實(shí)驗以金屬箔式應變片為研究對象。

　　4、箔式應變片的基本結構

　　金屬箔式應變片是在用苯酚、環(huán)氧樹(shù)脂等絕緣材料的基板上，粘貼直徑為0.025mm左右的金屬絲或金屬箔制成，如圖1—1所示。

　�。╝）絲式應變片（b）箔式應變片

　　圖1—1應變片結構圖

　　金屬箔式應變片就是通過(guò)光刻、腐蝕等工藝制成的應變敏感元件，與絲式應變片工作原理相同。電阻絲在外力作用下發(fā)生機械變形時(shí)，其電阻值發(fā)生變化，這就是電阻應變效應，描述電阻應變效應的關(guān)系式為：ΔR／R＝Kε式中：ΔR／R為電阻絲電阻相對變化，K為應變靈敏系數，ε=ΔL/L為電阻絲長(cháng)度相對變化。

　　5、箔式應變片單臂電橋實(shí)驗原理圖。

　　圖1—2應變片單臂電橋性能實(shí)驗原理圖。

　　對單臂電橋輸出電壓U01=EKε/4。

　　三、需用器件與單元：

　　應變式傳感器實(shí)驗模板、應變式傳感器、砝碼、數顯表、±15V電源、±4V電源、萬(wàn)用表（自備）。

　　四、實(shí)驗步驟：

　　1、根據圖（1—3）應變式傳感器已裝于應變傳感器模板上。傳感器中各應變片已接入模板的左上方的R1、R2、R3、R4。加熱絲也接于模板上，可用萬(wàn)用表進(jìn)行測量判別，R1=R2=R3=R4=350Ω，加熱絲阻值為50Ω左右。

　　圖1—3應變式傳感安裝示意圖

　　2、接入模板電源±15V（從主控箱引入），檢查無(wú)誤后，合上主控箱電源開(kāi)關(guān)，將實(shí)驗模板調節增益電位器Rw3順時(shí)針調節大致到中間位置，再進(jìn)行差動(dòng)放大器調零，方法為將差放的正、負輸入端與地短接，輸出端與主控箱面板上數顯表電壓輸入端Vi相連，調節實(shí)驗模板上調零電位器RW4，使數顯表顯示為零（數顯表的切換開(kāi)關(guān)打到2V檔）。關(guān)閉主控箱電源。

自動(dòng)化實(shí)驗報告3

　　一、實(shí)驗目的

　　了解全橋測量電路的原理及優(yōu)點(diǎn)。

　　二、基本原理

　　全橋測量電路中，將受力性質(zhì)相同的`兩個(gè)應變片接入電橋對邊，當應變片初始阻值：R1＝R2＝R3＝R4，其變化值ΔR1＝ΔR2＝ΔR3＝ΔR4時(shí)，其橋路輸出電壓U03＝KE。其輸出靈敏度比半橋又提高了一倍，非線(xiàn)性誤差和溫度誤差均得到明顯改善。

　　三、需用器件和單元

　　傳感器實(shí)驗箱（一）中應變式傳感器實(shí)驗單元，傳感器調理電路掛件、砝碼、智能直流電壓表（或虛擬直流電壓表）、±15V電源、±5V電源。

　　四、實(shí)驗內容與步驟

　　1、根據圖3—1接線(xiàn)，實(shí)驗方法與實(shí)驗二相同。將實(shí)驗結果填入表3—1；進(jìn)行靈敏度和非線(xiàn)性誤差計算。

　　2、全橋時(shí)傳感器的特性曲線(xiàn)。

　　3、圖3—1應變式傳感器全橋實(shí)驗接線(xiàn)圖。

　　五、實(shí)驗注意事項

　　1、不要在砝碼盤(pán)上放置超過(guò)1kg的物體，否則容易損壞傳感器。

　　2、電橋的電壓為±5V，絕不可錯接成±15V。

　　六、思考題

　　1、全橋測量中，當兩組對邊（R1、R3為對邊）值R相同時(shí)，即R1＝R3，R2＝R4，而R1≠R2時(shí)，是否可以組成全橋：（1）可以（2）不可以。

　　圖3—2應變式傳感器受拉時(shí)傳感器周面展開(kāi)圖

　　答：不可以。

　　2、X工程技術(shù)人員在進(jìn)行材料拉力測試時(shí)在棒材上貼了兩組應變片，如何利用這四片電阻應變片組成電橋，是否需要外加電阻。

　　答：將這兩組應變片分別按照兩個(gè)不同的方向貼在棒材上面就可以了，然侯利用不同的兩組測量值就可以組成一個(gè)全橋電路，進(jìn)而獲得測量結果，無(wú)需再引入外界電阻。

　　3、計算系統靈敏度：ΔV=（25—13）+（37—25）++（124—112）/9=12.33mV

　　ΔW=20g

　　S=ΔV/ΔW=0.616mV/g

　　4、計算非線(xiàn)性誤差：

　　Δm =（13+25+37+50+62+75+87+100+112+124）/10=68、5mV yFS=120mV

　　δf =Δm / yFS×100%=5.71%

　　七、誤差分析

　　1、激勵電壓幅值與頻率的影響。

　　2、溫度變化的影響。

　　3、零點(diǎn)殘余電壓的影響。

　　零點(diǎn)殘余電壓產(chǎn)生原因：

　�。�1）基波分量。

　�。�2）高次諧波。

　　消除零點(diǎn)殘余電壓方法：

　�。�1）從和工藝上保證結構對稱(chēng)性。補償線(xiàn)路。

　�。�2）選用合適的測量線(xiàn)路。

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