- 相關(guān)推薦
基于虛擬扇區的Flash存儲管理技術(shù)
摘要：首先，針對閃存Flash的存儲編程特點(diǎn)，提出一種基于虛擬扇區的閃存管理技術(shù)，使系統對Flash的擦寫(xiě)次數大大降低，從而提高Flash的使用壽命和整個(gè)系統的性能。然后，通過(guò)嵌入式系統電子名片管理器，介紹這一技術(shù)的使用。隨著(zhù)閃存的廣泛應用，對Flash的有效存儲管理將有很大的實(shí)用意義和社會(huì )效益。引言
隨著(zhù)嵌入式系統的迅速發(fā)展和廣泛應用，大量需要一種能多次編程，容量大，讀寫(xiě)、擦除快捷、方便、簡(jiǎn)單，外圍器件少，價(jià)格低廉的非易揮發(fā)存儲器件。閃存Flash存儲介質(zhì)就是在這種背景需求下應運而生的。它是一種基于半導體的存儲器，具有系統掉電后仍可保留內部信息，及在線(xiàn)擦寫(xiě)等功能特點(diǎn)，是一種替代EEPROM存儲介質(zhì)的新型存儲器。因為它的讀寫(xiě)速度比EEPROM更快，在相同容量的情況下成本更低，因此閃存Flash將是嵌入式系統中的一個(gè)重要組成單元。
然而，由于Flash讀寫(xiě)存儲的編程特點(diǎn)，有必要對其進(jìn)行存儲過(guò)程管理，以使整個(gè)系統性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲編程特點(diǎn)
Flash寫(xiě)：由1變?yōu)?，變?yōu)?后，不能通過(guò)寫(xiě)再變?yōu)?。
Flash擦除：由0變?yōu)?，不能只某位單元進(jìn)行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內容都變?yōu)?，芯片擦除是把整個(gè)Flash的內容都變?yōu)?。通常一個(gè)Flash存儲器芯片，分為若干個(gè)擦除block，在進(jìn)行Flash存儲時(shí)，以擦除block為單位。
當在一個(gè)block中進(jìn)行存儲時(shí)，一旦對某一block中的某一位寫(xiě)0，再要改變成1，則必須先對整個(gè)block進(jìn)行擦除，然后才能修改。通常，對于容量小的block操作過(guò)程是：先把整個(gè)block讀到RAM中，在RAM中修改其內容，再擦除整個(gè)block，最后寫(xiě)入修改后的內容。顯然，這樣頻繁復雜的讀-擦除-寫(xiě)操作，對于Flash的使用壽命以及系統性能是很不好的，而且系統也常常沒(méi)有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區的管理技術(shù)可以有效地控制Flash的擦寫(xiě)次數，提高Flash的使用壽命，從而提高系統性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS（Visual Small Sector），虛擬小扇區：以它為單位讀寫(xiě)Flash內容。
VSS ID（Visual Small Sector Identity），虛擬小扇區號：只通過(guò)虛擬扇區號進(jìn)行存儲，不用考慮它的真實(shí)物理地址。
SI（Sector Identity），分割號：一個(gè)擦寫(xiě)邏輯塊中物理扇區的順序分割號。
BI（Block Identity）,塊號：Flash芯片中按擦除進(jìn)行劃分的塊號。
SAT（Sector Allocate Table），扇區分配表：一個(gè)擦寫(xiě)邏輯塊中的扇區分配表。一個(gè)SAT由許多SAT單元組成，一個(gè)SAT表對應一個(gè)Block，一個(gè)SAT單元對應一個(gè)VSS。
每個(gè)SAT單元最高兩位為屬性位，后面各位為VSS ID號。如果一個(gè)SAT單元由16位組成，則VSS ID最大可以達到16×1024；而如果SAT單元由8位組成，則VSS ID最大可以達到64，具體約定由應用情況而定。
2.2 實(shí)現原理
把每個(gè)block分為更小的虛擬邏輯塊（visual small sector），稱(chēng)為虛擬扇區，扇區大小根據應用而定。每個(gè)block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區分配的使用情況（即扇區分配表），包括扇區屬性及扇區邏輯號。圖1為邏輯扇區劃分示意圖。
在進(jìn)行數據讀寫(xiě)和修改時(shí)，以虛擬扇區塊的大小為單位。要修改某一扇區的數據時(shí)，先讀出這個(gè)扇區的內容，重新找一個(gè)未使用的扇區，把修改后的內容寫(xiě)入這個(gè)新扇區。然后，修改原來(lái)扇區的屬性值為無(wú)效，修改這個(gè)新扇區的屬性為有效，拷貝VSS ID號到新扇區對應的SAT單元中。
這樣，當某一個(gè)block中的SAT屬性都標為無(wú)效時(shí)，才對當前block進(jìn)行擦寫(xiě)�？梢�(jiàn)，以虛擬扇區大小為單位的存儲管理，對Flash塊的擦寫(xiě)次數可大大減少，從而提高了系統性能。
3 VSS管理實(shí)現要點(diǎn)
3.1 常數部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據Flash型號修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據Flash型號及應用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個(gè)數
#define MAX_SI_1B 255 //每個(gè)可擦除塊中有效SI個(gè)數
#define SATSIZE 510 //扇區分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無(wú)效的屬性值
3.2 數據結構部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個(gè)block的使用情況。數組中的某位為1，表示相應sector為未使用；否則，為已經(jīng)寫(xiě)過(guò)，系統通過(guò)這個(gè)表可以跟蹤各個(gè)block的使用情況。
3.3 函數功能部分
1） Flash_Format()//擦除整塊Flash存儲介質(zhì)。
2） Flash_Init()//對VSS管理系統參數進(jìn)行初始化，填充VSS_Table表，統計Flash的使用情況。在系統復位初始時(shí)調用。
3） Block_Erase(int blockID)//擦除塊號為block ID的塊。
4） Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及
【基于虛擬扇區的Flash存儲管理技術(shù)】相關(guān)文章：
嵌入式系統中的Flash存儲管理03-18
論虛擬存儲技術(shù)及其在視頻網(wǎng)絡(luò )中的應用03-18
基于虛擬現實(shí)技術(shù)的物理實(shí)驗模擬03-07
談MEMS存儲設備的管理技術(shù)03-19
基于 CATIA和 VIRTOOLS技術(shù)的虛擬機艙漫游研究03-02
大容量Flash存儲設備在水文遙測系統中的實(shí)現03-07